имплантация
71ионная имплантация в аморфный полупроводник — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… …
72безмасочная ионная имплантация — bekaukis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. maskless ion implantation vok. Ionenimplantation ohne Maske, f; unmaskierte Ionenimplantation, f rus. безмасочная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique… …
73ионная имплантация для формирования обеднённой области — skurdinamasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten, f rus. ионная имплантация для формирования обеднённой области, f pranc …
74слабодозированная ионная имплантация — mažos dozės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low dosage ion implantation vok. Niederdosisionenimplantation, f rus. слабодозированная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique à basse dose, f …
75ионная имплантация под углом к поверхности — įžambusis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. angled ion implantation; tilt angle ion implantation vok. Schrägimplantation, f rus. ионная имплантация под углом к поверхности, f pranc. implantation ionique à l… …
76ионная имплантация для формирования кармана — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …
77слабая ионная имплантация — silpnasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. light ion implantation vok. schwache Ionenimplantation, f rus. слабая ионная имплантация, f pranc. faible implantation d ions, f …
78вертикальная имплантация легирующей примеси — stačiasis priemaišų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical impurity implantation vok. tiefenorientierte Implantation von Fremdstoffionen, f rus. вертикальная имплантация легирующей примеси, f pranc.… …
79ионная имплантация — joninė implantacija statusas T sritis chemija apibrėžtis Priemaišų atomų įterpimas į kietąjį kūną bombarduojant jo paviršių pagreitintų jonų srautu. atitikmenys: angl. ionic implantation rus. ионная имплантация …
80ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — см. Легирование …
